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厂商型号

KSD1691YSTSTU 

产品描述

Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

内部编号

3-KSD1691YSTSTU

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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KSD1691YSTSTU产品详细规格

规格书 KSD1691YSTSTU datasheet 规格书
KSD1691YSTSTU datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 160 @ 2A, 1V
功率 - 最大 1.3W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
包装 3TO-126
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 60 V
集电极最大直流电流 5 A
最小直流电流增益 160@2A@1V
最大集电极发射极饱和电压 0.3@0.2A@2A V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1300 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 5
最低工作温度 -55
包装宽度 3.25
PCB 3
最大功率耗散 1300
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最大集电极发射极电压 60
供应商封装形式 TO-126
标准包装名称 TO-225-AA
最高工作温度 150
包装长度 8
包装高度 11
最大基地发射极电压 7
封装 Rail
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 1.3W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 160 @ 2A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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